Bara dagar efter att Intel och Micron stoltserade med sin purfärska 20nm tillverkningsprocess för NAND-flashminne har nu konkurrenten Toshiba avslöjat att man kommit ett steg längre. Toshiba säger sig redan påbörjat provtillverkning av NAND-flashkretsar med 19nm-teknik, kretsar som redan under tredje kvartalet 2011 ska gå i massproduktion.

Toshiba som tagit en rejäl smäll i sin NAND-flashtillverkning efter jordbävningskatastrofen i Japan verkar trots allt vara i god form. Företaget som sägs halverat antalet skeppade NAND-flashkretsar under maj och juni, på grund av materialbrist efter jordbävningen, har redan pressat ut sina första Multi-Level Cell NAND-chip med den nya 19nm-tekniken. MLC-chipen har en densitet på 64Gb (8GB) och ska enligt Toshiba själva vara de minsta i världen med en ytstorlek på 118mm2. Vilket skulle kunna fördubbla lagringskapaciteten i mobila enheter eller lagringsprodukter.

De nya 19nm-chipen använder sig av Toggle DDR2.0 teknik för att öka prestandan i kretsarna. Samtidigt ska minneschipen kunna skalas till en 3-bit-per-cell design vilket ytterligare skulle öka lagringsdensiteten med 50%. 

toshiba.nand

Dagens mobiltelefoner skeppas oftast med maximalt 32GB integrerat lagringsutrymme. Med Toshibas nya kretsar skulle detta kunna skalas till 128GB utan att ta mer utrymme. Detta är troligtvis inte ett alternativ av kostnadsmässiga skäl men visar ändå vad de nya NAND-flashkretsarna är kapabla till. 

Masstillverkningen väntas alltså sättas igång under tredje kvartalet, detta medan IMFT (Intel Micron) sägs starta sin masstillverkning av 20nm NAND-kretsar under andra halvåret 2011.

Annons

3
Leave a Reply

Please Login to comment
3 Comment threads
0 Thread replies
0 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
3 Comment authors
Jacob Hugossonshaglord-Boris- Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
-Boris-
Medlem
-Boris-

Bara säga grattis om det går så bra.
SSD går framåt i hög fart. 🙂

Micke
Medlem
Micke

Areaskillnaden 19/20 nm på ~11% blir då inte lika imponerande som övergången till 3-bit MLC när det gäller pris. Frågan är då hur pålitligheten på dessa MLC står sig. Kommer utvecklingen gå till att skapa 4-8 bit per cell tro?

Jacob Hugosson
Medlem

[quote name=”shaglord”]Areaskillnaden 19/20 nm på ~11% blir då inte lika imponerande som övergången till 3-bit MLC när det gäller pris. Frågan är då hur pålitligheten på dessa MLC står sig. Kommer utvecklingen gå till att skapa 4-8 bit per cell tro?[/quote]
Alla företag räknar ”nm” så olika, Intel/Microns:s 20nm chip kan mycket väl ha något bättre transistordensitet än Toshiba:s 19nm. Att Toshiba börjar tillverka NAND på 19nm låter väldigt bra i pressen.