Samsung och Toshiba har meddelat att man nu börjat samarbeta på ny NAND flashminnesteknik som ska utvecklas kring DDR2 specifikationen med ett datagränssnitt på 400 Mbps, långt över de hastigheter som är möjliga med dagens NAND-teknik.
Samsung har redan använt DDR NAND som även kallas Toogle DDR men då har det handlat om DDR 1.0 specifikationen med en bandbredd på 133 Mbps. När nu Samsung och Toshiba tittar framåt mot DDR 2.0 är det med flera gånger snabbare gränssnitt och företagen menar att detta är det nästa stora steget i utveklingen på NAND flashmarknaden.
– Toggle DDR provides a faster interface than conventional NAND using an asynchronous design, delivering the benefits of high-speed data transfer to a wider market, such as for solid state drive (SSD) applications including enterprise storage, mobile phones, multimedia terminals and consumer products, kommenterade Masaki Momodomi teknisk direktör på Toshibas minnesavdelning
Ska man sedan jämföra DDR2 NAND specifikationen med SDR NAND tekniken som används flitigt på marknaden idag utökar man bandbredden tiofaldigt, från 40 Mbps till alltså 400 Mbps.
Både Samsung och Toshiba arbetar nu med att standardisera den nya DDR2 NAND tekniken gneom JEDEC Solid State Technology Association.
själv satte jag ihop en hp g62-b12eo med en i5 2,5 GHz, 4 gig 15,6 tums skärm, radeon 5470-grafik häromdan och bytte ut disken mot en vertex 2 120 gig och den är snabb som ett spjut för runt 6500 kr exkl. win 7 licens. köpa färdigt via prisjakt eller andra blir dyrt med ssd, runt 15000 kronor får man räkna med, då med i7 och lite annat godis förstås