BICS Nand

När vi först testade Samsungs V-Nand så skrev vi en lång text om hur Samsungs V-Nand fungerar. För er som är intresserade så finns det att läsa i vår artikel om Samsungs 850 Pro. I den texten så förklarar vi hur slitaget på minnesceller kan förstöra dem. För att kunna programmera en cell så ”trycker” man elektroner genom ett isolerande oxidlager på flytgrinden. Problemet är att när man gör det så bildas små defekter i oxidlagret och problemet blir större ju mindre minnescellen är. Om oxidlagret blir för dåligt så kan det inte längre hålla laddning, och cellen blir obrukbar.

Av den anledningen så använder Samsungs V-Nand en teknik som kallas för Charge Flap Flash. Det betyder att istället för att lagra elektroner i flytgrinden så lägger man ett isolerande lager istället och låter elektroner fastna där istället. Det betyder att man kommer runt problemet med defekter i oxidlagret. Det löser inte alla problem men i teorin så ökar det livslängden på minnescellen. Anledningen till att vi pratar om CFT är att BICS använder sig av precis samma metod som V-Nand gör. IMFTs 3D-Nand använder istället traditionella flytgrindar precis som 2D-Nand och IMFT har sagt att det beror på att de känner sig mer bekväma med att använda en teknik som de arbetat med under många år och tror därför att den långa erfarenheten ska hjälpa dem att skala sitt 3D-Nand till fler lager än vad V-Nand och BICS kan göra.

Det betyder att Toshiba/Sandisks BICS är mer likt Samsungs V-Nand än vad det är IMFTs 3D-Nand. Vad som är intressant med det är att vi var lite besvikna på IMFTs minneskretsar. Samsungs var både snabbare och hade betydligt bättre livslängd än 2D-nand. IMFTs hade förvisso bättre livslängd men inte med särskilt mycket. Prestandan var inte heller något märkvärdigt. Vi såg i alla fall inte en märkbar förbättring som vi gjorde med Samsungs V-Nand. Så frågan är då om vi kommer att få se någon förbättring när vi nu har möjlighet att titta närmare på BICS. Vad som gör vårt jobb enklare är att vi redan har testat WD Blue (med vanligt 15nm TLC) tidigare. Det betyder att vi kan jämföra den nya och den gamla enheten rakt av och därmed få en bra indikation på hur bra deras nya BICS egentligen är.

Annons

4
Leave a Reply

Please Login to comment
1 Comment threads
3 Thread replies
1 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
2 Comment authors
Glaring_MistakeGustav Gager Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Glaring_Mistake
Medlem
Glaring_Mistake

Postar min kommentar här då också. Ni säger att de större tillverkarna slutade försöka minska litografin på NAND efter 15nm men både Samsung och SK Hynix har väl utvecklat 14nm NAND? I Plextor S3C används 14nm TLC NAND från SK Hynix till exempel. Vet inte om någon SSD som använder sig av 14nm NAND från Samsung däremot. Vet ni vad BiCS använder sig av för litografi på ett ungefär? För åtminstone IMFTs 3D MLC NAND är på 16-20nm vilket kan förklara varför uthållighet inte ökade så mycket jämfört med deras 2D NAND. Eller hur många P/E cykler WD Blue 3D/SanDisk… Läs hela »