MJX och 64-lager NAND

Ny kontroller – Samsung MJX

Samsungs kontrollerkretsar har historiskt varit väldigt bra. Sedan MDX lanserades i samband med 840 Pro så har Samsung alltid legat i toppen prestandamässigt. Samsungs kontrollerkretsar har alltid följt samma recept och man har alltid använt samma kraftfulla kretsar även i billigare modeller (exempelvis 750 Evo) och man har helt skippat tanken på att köra med färre NAND-kanaler och utan DRAM. Samsungs kontrollerkretsar består av 2 eller 4 ARM Cortex R4 processorer. På vägen så har Samsung uppgraderat sina kretsar  och ökat klockfrekvenser och optimerat tillverkningsteknik för att hålla kretsarna relevanta.

KontrollerMCXMDXMEXMGXMHXMJX
ArkitekturARM 9 (ARMv5)Cortex R4 (ARMv7)Cortex R4 (ARMv7)Cortex R4 (ARMv7)Cortex R4 (ARMv7)N/A
Antal kärnor333233
Klockfrekvens220 MHz300 MHz400 MHz550 MHz400 MHzN/A
Max DRAM512 MB LPDDR21GB LPDDR21GB LPDDR2512MB LPDDR32GB LPDDR34GB LPDDR4
Produkter830840, 840 Pro840 Evo, 850 Evo, 850 Pro750 evo, 850, 850 Evo850 Evo, 850 Pro860 Evo, 860 Pro

Senaste generationen av Samsungs kontroller heter MJX. Tyvärr så vet vi inte så mycket om den och Samsung säger ingenting trots upprepade försök att få mer detaljer. Om vi ska spekulera lite så handlar det troligtvis om en uppdaterad MHX som fortfarande bygger på tre stycken ARM Certex R4-kärnor. Vad vi vet med säkerhet är att den nya kontroller har samma stöd för kryptering som tidigare. Vi vet också att den nya kontrollern har fått stöd för LPDDR4 på upp till 4 GB och därmed möjliggör enheter på upp till 4 TB lagring.

Generation 4 V-NAND med 64 lager

850 Pro var den första konsument produkten som använde 3D-NAND, minneskretsar där man bygger på höjden istället för att minska storleken på transistorerna. Då handlade det om Samsung andra generation V-NAND (Samsungs namn på deras 3D-NAND). Då hade man 32 lager staplade på varandra och varje NAND-enhet kunde lagra 86 Gbit MLC eller 128 Gbit TLC. 860 Evo använder Samsungs senaste generation V-NAND och nu har man staplat 64 lager på varandra och varje NAND-enhet kan lagra 256 Gbit eller 512 Gbit TLC. Detta är i klass med konkurrenterna som, precis som Samsung, precis lanserat sitt 3D-NAND med 64 lager.

Den nya generationen kan lagra samma mängd data på 30% mindre yta jämfört med förra generationen. Det betyder att minneskretsarna är billigare att tillverka och det ger mer utrymme för att sälja enheterna billigare i framtiden. Man har även minskat spänningen från 3,3 V till 2,5 V vilket ska ge ungefär 30% lägre strömförbrukning. De nya kretsarna har en programmeringstid på ungefär 500 mikrosekunder vilket är 50% snabbare än tredje generationens V-NAND. Allt detta borde göra att de nya minneskretsarna är snabbare, billigare och har högre densitet.

5
Leave a Reply

avatar
2 Comment threads
3 Thread replies
2 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
3 Comment authors
Stefan AxelssonGustav GagerGlaring_Mistake Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Glaring_Mistake
Medlem
Glaring_Mistake

Samsung har faktiskt gjort en DRAMlös SSD även om den är praktiskt taget okänd, och som heter 650.

Med 860 EVO – kan ni testa hur många P/E cykler den har?
Om den är specificerad för 2000 som 850 EVO eller om det har blivit ännu högre nu.

Stefan Axelsson
Gäst
Stefan Axelsson

Vissa värden är så låga att den röda stapeln inte syns i vissa diagram. Varför inte markera var den testade disken befinner sig? Det är så många namn att leta mellan. Ser lite klent…

Varför inte markera alla SATA-diskar med fet stil, kursiv stil eller annan färg så man vet vilka som är vilka utan att behöva kontrollera själv.