Staplade minneskretsar för flashlagring är på ingång, och samma princip kan appliceras på internminnen. Nu har Micron visat nya detaljer kring Hybrid Memory Cube – en ny minnesteknik med staplade kretsar, med en utlovad bandbredd 5 gånger högre än DDR4 och 15 gånger högre än DDR3.
Hybrid Memory Cube är inte ett vanligt minne i DIMM-format som vi är vana vid för stationära och bärbara datorer, utan är en ny typ som levereras i ”kuber” av staplade kretsar. Tekniken, som först offentliggjordes redan 2011, kan jämföras med staplade flashminneskretsar – kretsarna monteras ovanpå varandra, och kommunicerar med hjälp av genomlöpande kanaler kallade TSV, eller Through Silicon Vias.
Likt staplat NAND-flash så är staplingen dels tänkt att ge högre överföringshastigheter, men även att kringgå svårigheterna med att migrera till en ny tillverkningsteknik. Det är helt enkelt enklare att lägga till mer kisel på höjden än att krympa storleken på transistorerna, och genom att kombinera de två kommer storleken på DRAM kunna öka snabbare.
Enligt Micron kommer HMC erbjuda rejält med bandbredd, uppåt 15 gånger mer än med modernt DDR3-minne i DIMM-format, och med 70 procent lägre energiförbrukning. Tekniken utlovas även bli uppåt 5 gånger snabbare än den nya DDR4-tekniken. Dock är det inte persondatorer som i första hand är målgruppen, utan snarare superdatorer och servrar. I dessa kan HMC-minne lödas fast direkt på moderkortet eller fästas i en typ av anslutning. För persondatorer kommer däremot DDR3 – och sedan DDR4 – troligen sitta kvar på tronen ett tag till.
Hybrid Memory Cube förväntas hitta ut på marknaden under 2015, bland annat i samband med Intels nya superdatorplattform Knight’s Landing som kombinerar staplat DRAM med DDR4.
Relaterade artiklar
- Lägre strömförbrukning och högre kapaciteter med DDR4-minnen hos Adata
- HP presenterar ”The Machine” – Hanterar 640 petabyte data på 250 nanosekunder
Detta med batteri ramdisk special?