GlobalFoundries fortsätter att visa att man vill bli en kraft att räkna med inom foundryindustrin och presenterar två tillverkningstekniker på 20nm som ska debutera 2013 och 2014. Man försäkrar även att SOI har fortsatt stöd långt fram i tiden, men man har ännu inga nya kunder för SOI förutom AMD.
På GTC (GlobalTechnology Conference) presenterade GlobalFoundries deras planerade tillverkningsprocess på 20nm, som ska följa och ersätta 28nm och 32nm. 20nm ska komma i två olika versioner och vara anpassade efter olika kunder och kretsar.
Den första nyheten är att man vid 20nm går ifrån en Gate-First-design till en Gate-Last-design. Gate-First gav enligt GlobalFoundries en 10-20% lägre kretsyta men ska enligt andra i industrin vara svår att tillverka. GlobalFoundries säger att man väljer att gå mot Gate-Last då de analyserat marknaden och de tror inte att kretsytan längre kommer vara högsta prioritet för deras klienter.
Greg Bartlett, GlobalFoundries på GTC 2011
20nm kommer i två olika utförande, 20nm-LPM (Low-Power Manufacturing) för mindre strömsnålare enheter så som smartphone SoC:s, medan 20nm-SHP (Super High Performance) kommer inrikta sig mot strömhungrigare och högpresterande kretsar som exempelvis grafikprocessorer. Båda tillverkningstekniker kommer med HKMG och beräknas hamna under 0.9V gränsen, jämfört mot strax över 1.0V för 28nm och 32nm.
20nm-LPM kommer med stora förbättringar mot dess motsvarighet 28nm-ULP, och ska kunna erbjuda 35% snabbare kretsar med samma strömförbrukning, eller upp till 40% lägre strömförbrukning med samma prestanda. 20nm-SHP kommer att kunna erbjuda 25% snabbare kretsar, eller 30% lägre strömförbrukning. Både 20nm-varianter kommer att erbjuda dubbelt så hög transistor-densitet som 28nm.
En wafer är en rund skiva som tar runt 8-12 veckor att tillverka, kretsarna skärs sedan ut med laser och paketeras för användning i datorsystem för slutkonsumenter.
Företaget har precis gjort sina första test-wafers, och 20nm finns nu tillgänglig för deras kunder att utvärdera. Man kommer att inleda 20nm-produktion i slutet av 2012, medan de ska lanseras i två etapper under 2013 och 2014. Under 2014-2015 ska företaget debutera sin första prototypnod baserad på EUV (Extreme Ultra Violet) och förbereda en övergång från den traditionella CMOS-transistorn. Vad som väntar efter är troligtvis såkallade 3D-transistor likt de Intel ska introducera på 22nm i början av nästa år.
En felformulering från den tillfälliga vdn Ajit Manocha gav upphov till uppgifter att GlobalFoundries inte tänker stödja SOI (Silicon-on-Insulator) längre, ett uttalande man nu fått korrigera. SOI som AMD använder sig av finns fortfarande på kartan och man har fullt engagemang till SOI. Tillverkningsprocesserna baserade på SOI som är slagna i sten idag från GlobalFoundries är 22nm och 14nm, och det är mycket troligt att man kommer fortsätta även lägre än så förutsatt att AMD klarar av att nyttja kapaciteten i deras fabriker.
Tri-Gate-transistorer som Intel ska implementer är bara en av många medel att sätta plåster över strömläckaget.
Vi kan inte låta bli att lägga ett extra öga på vad 20nm lägger på bordet. Det är en nämnvärd ökning men den är mindre än tidigare, ett testamente på att vi börjar närma oss den fysiska gränsen för kisel-baserade transistorer och att strömläckaget i våra kretsar börjar bli allt för svår att kontrollera. Tekniker som exempelvis HKMG, ”3D-transistorer”, SOI, EUV är inte prestandahöjande medel utan är bara ett sätt att sätta plåster över strömläckaget. Det börjar bli tydligt att kisel inte har många år kvar, speciellt med tanke på att forskare ser det som mer eller mindre omöjligt att gå under 10nm.
Källa: BrightSideOfNews
Relaterade nyheter:
Det ska bli intressant att se om det kommer hinna bli ett stort gap då Kisel inte kan krympas längre och tills Grafen är redo. Det är ett antal år kvar dit, men absolut inom en överskådlig framtid.