Micron har presenterat sina senaste framsteg inom utveckling av RAM-minnesprodukter och deras Hybrid Memory Cube-teknik lovar upp till 20 gånger snabbare minnesmoduler än dagens DDR3-produkter. HMC-tekniken presenterads under Hot Chips-konferensen i förra veckan och Micron visade där upp en provkrets med kapacitet att nå datahastigheter på hela 128 gigabyte per sekund.

Microns HMC moduler har redan nått hastigheter som är i runda slängar 10 gånger högre än de vi ser på dagens DDR3-minnesmoduler där exempelvis en DDR3-1600 modul är kapabel att nå datahastigheter på 12,8 gigabyte per sekund.

När Micron är färdiga med sina första konsumentlösningar påstår företaget att man ska kunna erbjuda 20 gånger så hög bandbredd som en DDR3-modul och det med endast 10% av den energi det krävs för att driva dagens minnesmoduler.

Hybrid Memory Cube bygger som namnet avslöjar på höjden och binder samman flera lager av minneschip i en tredimensionel minneskrets. För att få en så effektiv dataväg som möjligt mellan de staplade minneschipen använder man sig så kallas TSV-kopplingar (Through-silicon via) som låter signaler passera rakt igenom kiselkretsarna. Genom sin tredimensionella uppbyggnad hävdar Micron att tekniken ska kräva 90% mindre utrymme än traditionella RDIMM-moduler.

Det höga antalet TSV-kopplingar och de förhållandevis korta avstånden ska vara nyckeln till arkitekturens höga datahastigheter, något som kan råda bot på de minnesflaskhalsar vi lider av idag. Tydliga exempel är de nya Fusion APU-kretsar från AMD där flera integrerade CPU-kärnor och kraftfulla grafikdelar ska samsas om en begränsad minnesbandbredd, något som blir en tydlig flaskhals redan idag.

Micron menar att man med sin HMC-teknik kan bryta igenom ”minnesväggen” där man talar om hur utvecklingen inom detta område sällan ger mer än marginella prestandaförbättringar, till skillnad mot CPU och GPU-marknaden där beräkningskraften fortsätter mångdubblas.

Den stora frågan är givetvis när vi får se HMC-tekniken i produkter, detta finns idag inga uppgifter om men förhoppningsvis sker det snart.

Annons

5
Leave a Reply

Please Login to comment
5 Comment threads
0 Thread replies
0 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
4 Comment authors
Jacob HugossonReturctrlHallonglass Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Aron
Medlem
Aron

Det låter ju onekligen riktigt, riktigt lovande! Hoppas att det stämmer bara…

ctrl
Gäst
ctrl

Läste lite för fort och fick kopplingar till filmen Hyper Cube… Är detta någon teknik som går applicera på SSD marknaden ??

Jacob Hugosson
Medlem

[quote name=”ctrl”]Läste lite för fort och fick kopplingar till filmen Hyper Cube… Är detta någon teknik som går applicera på SSD marknaden ??[/quote]
TSV borde fungera minst lika bra på DRAM som NAND-kretsar. Som det ser ut idag är TSV det troligaste alternativet för framtidens lagring och minnesteknik en tid framöver, enda problemet för tillverkarna är att det knappast är en billig teknik då man lägger flera kretsar ovanpå varandra.

Sett ur densitet och strömförbrukning är det en väldigt bra teknik, men den hjälper inte till att driva ned kostnaderna tyvärr.

Robert Esping
Medlem
Robert Esping

Kan inte låta bli att tänka på potent hysterin när jag läser det här, ska bli intressant om det är så bra som sägs.
För då handlar det om teknikskifte. Snacka om fett patent!

Jacob Hugosson
Medlem

Problemet med TSV är att du i princip lägger flera kretsar på varandra, och alla utvecklar värme. Så tekniken fungerar bäst med diverse minneskretsar som inte är så strömkrävande, men de drar fortfarande tillräckligt mycket för att utveckla värme som märks av när man staplar dem på varandra.

IBM forskar ju efter olika metoder att kyla de individuella kretsarna i en TSV-design för att kunna använda den för mer strömkrävande kretsar så som diverse processorer.