Prestanda vid hård belastning

För att göra det här testet så började vi med att fylla hela enheten med data som ej går att komprimera. När det var gjort så bombarderade vi enheten med slumpmässiga skrivningar på 4 KB och en QD (queue depth) på 32. Testet pågick i hela 50 minuter och under den tiden så spelade vi in enhetens prestanda varje sekund, 3 000 sekunder är alltså 50 minuter.

Om prestandan varierar för mycket (vissa operationer tar extremt lång tid jämfört med andra) så kan det märkas i form av ryck eller mikrohängningar och systemets responsivitet påverkas.

Resultat – slumpmässig skrivning

Vänster: Kingston KC1000 960GB, Höger: Corsair Neutron NX500 400GB

Från vänster till höger, uppifrån och ner: WD Black 512GB, Samsung 960 Evo 500GB, Intel 600p 512GB, Toshiba OCZ RD400 512GB, Samsung 960 Pro 512GB, Intel 750 400GB.

Här ser vi gigantisk skillnad mellan KC1000 och NX500. Den primära skillnaden här är att KC1000 har mindre overprovisioning men även mängden DRAM spelar en viss roll. För att hålla samma skala så hamnade NX500:s första resultat långt utanför diagram. Innan enhetens OP är slut så skriver enheten i nästan 200 000 IOPS. KC1000 ligger istället runt 80 000 IOPS (vilket också är väldigt högt). När enheterna sedan når steady-state så varierar prestandan riktigt mycket men går aldrig som Intel 600p och WD Black kan göra. Vi hade gärna sett något lägre med mer konsekvent prestanda.

En medelprestanda på över 40 000 IOPS i steady-state är väldigt imponerande. Samtidigt så har båda inkonsekventa resultat och mer OP ser inte ut att göra någon större skillnad. Här skulle vi också gärna se att Phison gjorde lite förbättringar på firmwaresidan.

5
Leave a Reply

Please Login to comment
2 Comment threads
3 Thread replies
1 Followers
 
Most reacted comment
Hottest comment thread
2 Comment authors
Glaring_MistakeGustav Gager Recent comment authors
  Subscribe  
senaste äldsta flest röster
Notifiera vid
Glaring_Mistake
Medlem
Glaring_Mistake

Phison S10 har BCH ECC och som i Trion 150 används med 15nm 2D TLC NAND så det är redan någonting som har gjorts. Om SmartECC så säger Phison detta: ”SmartECC™ ECC Correction Scheme implements multiple levels of ECC correction to not only provide the basic ECC engine capability that NAND flash requires, but also extends the NAND durability with the additional of the RAID ECC Parity on the latest SSD controller offering. Multi-Level ECC scheme can be summarized as follows: Level 1 – Read Retry Level 2 – Standard BCH ECC Parity in page spare area Level 3 –… Läs hela »