Den nya lagringstekniken från IBM och Samsung är både snabbare och mer hållbar än vanligt flashminne, och kan ersätta båda teknikerna i framtidens prylar.
Flera av elektronikindustrins giganter arbetar flitigt på att ta olika typer av icke-volatilt minne (minne som är snabbt som RAM men kan lagra data permanent som en hårddisk eller SSD) till marknaden, och nu menar sig IBM i samarbete med Samsung ha gjort stora framsteg med en av de mest lovande kandidaterna: MRAM.
I utveckling sedan 70-talet
MRAM står för Magneto-resistive Random Access Memory, och används som ett mellanting mellan DRAM (vanligt datorminne som används idag) och Nand-flash (som används i SSD-enheter). Tekniken har varit under utveckling sedan 70-talet, och tillverkas redan i begränsad utsträckning, men med andra generationens MRAM hoppas IBM kunna få ett genomslag på marknaden på allvar, med en teknik som är uppåt 1 000 gånger snabbare än vanligt flashminne.
I MRAM används två lager med magnetiska celler, med ett elektriskt ledande material emellan. Riktningen på magnetfäktet i cellerna påverkar det elektriska motståndet mellan lagren, vilket används för att avläsa om cellerna lagrar värdet 1 eller 0. Första generationens MRAM använde kraftiga strömmar för att skapa magnetfält och därmed skifta cellernas riktning och skriva data till dem – andra generationen, som IBM nu slår ett slag för, lägger istället en betydligt mindre ström direkt över cellerna för att de ska byta riktning. Resultatet är en MRAM-teknik som konsumerar avsevärt mycket mindre energi.
Snabbare och mer hållbart än flash
Förutom att MRAM är betydligt snabbare än vanligt Nand-flash som finns i moderna SSD-enheter (uppåt 10 000 gånger snabbare läsning eller 100 000 gånger snabbare skrivning, enligt IDG) så slits en magnetisk MRAM-cell inte på samma sätt som en Nand-cell gör. Det går att byta riktning på cellerna i princip hur många gånger som helst utan att de slits ut.
Tanken är att bland annat små internetuppkopplade system ska kunna använda en mängd MRAM istället för både DRAM och flashlagring, och därmed komma undan både billigare och med lägre strömförbrukning och ett mindre format än med dagens teknik. Längre fram kan tekniken även komma att användas i mobiltelefoner och persondatorer, antingen som en ersättare till DRAM och flash, eller som ett snabbt bufferminne mellan de två.
IBM menar att det fortfarande finns en del forskning kvar innan tekniken kan nå sin fulla potential, men redan nu arbetar Samsung och IBM på att tillverka MRAM-kretsar med processnoder så små som 11 nanometer. Exakt när vi kan se tekniken i kommersiella produkter är fortfarande oklart, men med Samsungs rejäla tillverkningsarm i ryggen kan en bred utrullning av MRAM ligga bara ett eller ett fåtal år bort.
Bild: Peellden
