Halvledartillverkaren Samsung håller sig precis som Intel i framkant på utvecklingen av nya tillverkningstekniker. Nu har man meddelat att man som första tillverkare tagit fram DDR3-minneschip med hjälp av ny effektiv 30 nanometers teknik. Samsung kallar sina nya minneskretsar för de effektivaste på marknaden och ska göra det möjligt att skapa minnessystem med extra låg strömförbrukning. Men ny effektivare tillverkningsteknik lovar även för svulstigare minnesmoduler.
Samsung hävdar att man ska börja masstillverka sina nya moduler under andra halvan av 2010 och en 4GB DDR3 minnesmodul med 30nm teknik ska komma med en strömförbrukning på blott 3 watt i timmen. Vilket motsvarar ungefär 3% av den totala strömförbrukningen i en bärbar dator.
Jämfört med motsvarande 50nm baserade DRAM-moduler ska strömförbrukningen vara sänkt med hela 30%. Den nya 30nm tekniken gör det också möjligt för tillverkare att sänka produktionskostnaderna på större minnesmoduler, vilket kan betyda en större marknad för 4GB moduler under 2010.
Kommentera 
Tipsa en
kompis
Relaterade nyheter:
2010-03-10 G.Skill F3-16000CL6D-4GBPIS - DDR3 för Lynnfield-överklockaren? [Recension]
2010-02-26 Samsung 40C7000 - En av de första 3D TV apparaterna
2010-02-24 40nm teknik i fullpackade DDR3-moduler från Samsung
2010-02-23 Samsung visar e-boksläsare med ritbordsfunktion
2010-02-17 Mushkin presenterar 4GB DDR3-2000 minneskit
Samsung bygger DDR3-moduler med 30nm teknik
