Staplat NAND-minne, eller 3D-NAND, innebär att SSD-enheter kan tillverkas med betydligt högre lagringsdensitet. Intel vill givetvis inte låta Samsung eller Toshiba få hela tårtan, utan ger sig nu in i ett samarbete med Micron för att få ut sin egen 3D-NAND på marknaden under nästa år.
Klassiskt ”tvådimensionellt” NAND-minne har varit enkelt att skala hittills, men de ökade svårigheterna att minska transistorstorleken har lett till att moderna SSD-enheter istället får byggas på höjden. På så sätt kan tillverkare skala mängden minne som får plats på en given yta utan att det krävs lika snabba processkrympningar som tidigare.
Intel har via sitt samarbete med Micron, IMFT, utannonserat att de kommer lansera sin egen 3D-NAND-teknik nästa år för användning i företagets SSD-enheter. De nya NAND-kretsarna konstrueras med upp till 32 lager för totalt 48 gigabyte mer minneschip. Jämförelsevis klarar Samsungs V-NAND-teknik, som redan är i produktion, upp till 16 gigabyte per chip.
Enligt Intel ska lagringstekniken bidra till nya SSD-enheter på upp till 10 terabyte inom de närmaste åren, samtidigt som nya SSD-enheter ska kunna tillverkas betydligt mer kostnadseffektivt än med äldre, icke-staplade lagringskretsar.
Masstillverkning och leverans av Intels och Microns 3D-NAND förväntas dra igång under andra halvan av nästa år.
Källa: Intel via The Register
Leave a Reply