Ett av löftena med den nya DDR4-tekniken är möjlighet till större moduler, men det är en utveckling som fortfarande dröjer. åtminstone på konsumentmarknaden. Nu meddelar Samsung att de har inlett tillverkningen av nya DDR4-minnesmoduler på 64 gigabyte med hjälp av staplade kretsar.
I ett pressmeddelande har Samsung meddelat att de inlett tillverkningen av en ny generation internminnen med modulstorlekar upp till 64 gigabyte och klockfrekvensen 2 133 megahertz. Det rör sig om DDR4-minnen anpassade för Intels nya serverplattform Haswell-EP, som är systerplattform till entusiastserien Haswell-E.
Varje modul består av 36 minneschip, som var och en innehåller fyra staplade minneskretsar på 4 gigabit eller 512 megabyte som tillverkats med Samsungs 20-nanometersteknik. Kretsarna har sedan utrustats med hundratals hål, genom vilka kopplingar kallade Through Silicon Vias (TSV:s) låter de olika lagren kommunicera.
På så sätt kan Samsung dels klämma in stora mängder minne i varje modul, och dels göra det betydligt mer energieffektivt än andra staplade minnestyper som exempelvis använder sig av Wire Bonding, där enkla lödningar sköter kopplingen mellan lagren. Mer specifikt utlovar Samsung att TSV-baserat minne ska vara dubbelt så snabbt och hälften så strömtörstigt som Wire Bonding-minne.
Modulerna är till för servrar och datacenter och kommer inte i första taget erbjudas till konsumenter. Däremot kan tekniken mycket väl komma att smitta av sig på konsumentmarknaden inom en snar framtid. De nya modulerna bör börja implementeras under fjärde kvartalet, liknande konsumentmoduler kan komma att lanseras under nästa år.
Via: Xbitlabs
Synd bara att det är Samsung, dom brukar vara duktiga på att inte sprida sina grejer till konsumentleden, som tex deras NVME diskar (SAS, M.2 (XP941) & PCIE)
Förhoppningsvis så har konkurrenterna släppt liknande eller att dom släppt själva när det blir värt/dags att uppgradera med Skylake-E/EP
Har för mig att dom pratat om 128GB stora minnen & inte bara 64
Är inte 2133 megahertz lite dåligt?