Nordichardware Logo


Intel introducerar 3D-transistorer med 22nm för lägre strömförbrukning

Planar_vs_Tri-Gate

Intels stora nyhet idag handlade om deras nya tillverkningsprocess på makalösa 22nm. Förutom att än en gång krympt transistorn har man även designat om den. Intel själva säger att man lagt till en helt ny dimension i transistordesignen och att man arbetat på detta i över ett decennium - men vad betyder det?

Att krympa en processor eller vilken krets som helst kommer med många fördelar som lägre tillverkningskostnad, lägre strömförbrukning och högre prestanda. Nackdelen är att nya tillverkningstekniker blir allt dyrare att forska fram, och strömläckaget ökar för varje gång man krymper transistorerna. Intels 3D-transistor är svaret på detta, eller som Intel säger har man tagit den 3:e dimensionen till transistorn.

När Intel påbörjade utvecklingen av 22nm insåg man fort att använda plana transistorer inte var ett alternativ då de inte fick ut det resultat man hoppats på. Lösningen på problemet var 3D-transistorn som är en gammal teknik, som aldrig använts i praktiken på grund av svårigheterna att implementera detta. Först ska vi väldigt kortfattat och simplifierat ta upp hur detta fungerar.

En transistor kan antingen vara aktiverad eller avstängd, och när den är aktiverad vill man att så mycket elektricitet (elektroner) ska kunna flöda igenom som möjligt och när den är avstängd vill man självklart att så lite som möjligt ska komma igenom. En transistor kan slå av och på flera miljarder gånger i sekunden, tänk er en överklockad processor på 4 GHz, det innebär 4 miljarder av/på-slagningar i sekunden!

Som tidigare nämnt ökar strömläckaget när man krymper transistorer vilket helt enkelt betyder att elektronerna inte vill göra som Intel vill och väljer att inte följa den bestämda bana man lagt ut mellan varje transistor utan åker ur, vilket leder till ökad strömförbrukning och värmeutveckling. Detta är ett problem som blir allt allvarligare för varje gång man krymper transistorer och för att motverka detta har vi flera teknologier som Bulk, Silicon-on-Insulator (SOI), Low-K, High-K (HK), Metal Gate (MG) för att ta upp de mest välkända. Den här gången valde Intel att vända sig till 3D-transistorn för att få bukt med problemet.

Planar_vs_Tri-Gate

Illustrativ bild, 32nm plan-transistor till vänster, 22nm 3D-transistor till höger.

3D-transistorn stänger av och på det elektriska flödet från 3 håll samtidigt som bilden ovan illustrerar för att få bättre kontroll över det och lägre strömläckage. Denna förändring gav Intel mer än 50% lägre strömförbrukning och 37% högre prestanda med låg spänning, kort sagt bättre prestanda/watt. De första processorerna under kodnamnet Ivy Bridge som använder sig av Intels nya tillverkningsprocess finns redan i deras labb. De bjuder även på en kort demonstration av deras nya processorer som dyker upp i början av 2012.

Intels Ivy Bridge-arkitektur är som bekant planerad för lansering under första halvåret 2012 som en ersättare till mellanklassplattformen Sandy Bridge. Processorerna ur Ivy Bridge-familjen använder sig av samma grundarkitektur som i Sandy Bridge, men förutom en ny och effektivare transistorteknik väntas de nya kretsarna föra med sig kraftigare inbyggd grafikdel och bland annat andra generationens Intel Quick Sync teknik.

Källa: Intel

Skriv en kommentar


FORM_CAPTCHA
Byt kod

Våra köprekommendationer





Undersökning

Vad har du för internetanslutning hemma?







Resultat
RSS Feed