Samma 32nm-teknik som tidigare | AMD A8-4500M - Trinity gör entré på mobil front

AMD A8-4500M - Trinity gör entré på mobil front - Samma 32nm-teknik som tidigare

Bärbara Datorer Recensioner - Publicerad 2012-05-15 06:01 Skriven av Jacob Hugosson

AMD använder med Trinity samma tillverkningsteknik som tidigare, och med snart ett år på nacken hoppas vi att de största problemen hamrats ur. Med sin yta på 246 mm² är Trinity något större än Llano med 228 mm², och även transistorantalet har gått upp. Vi har dock märkt att AMD börjat räkna annorlunda, eller någonting i den stilen i alla fall - tidigare hade deras Zambezi med åtta kärnor som används i FX-serien 2 miljarder (2 000 miljoner) transistorer innan de sänkte antalet markant till 1 200 miljoner.

Även Llano har åkt på samma behandling och på pappret bantats från 1 400 miljoner till 1 178 miljoner. Det är inte ovanligt att företag räknar olika, Intel Ivy Bridge ska ligga på 1 620 miljoner transistorer men officiellt handlar det om 1 400 miljoner. Vissa företag räknar bara in antalet unika transistorer, medan andra ser till varje liten transistor även om den används flera gånger. Trinity lägger sig i alla fall på 1 303 miljoner, så medan det är en helt ny generation från AMD så har den inte lagt på sig allt för mycket. Det är en stor mängd transistorer på en yta av 246 mm², vilket de har att tacka GlobalFoundries 32 nanometersteknik med ett Gate-First-utförande för.

Egenskap	Kärnor	L2 cache	L3 cache	Teknik	Transistorer	Kretsarea
Ivy Bridge	4	4 x 256 KB	8 MB	22nm Bulk/HKMG/Tri-gate	1 400 milj.	160 mm²
Sandy Bridge	4	4 x 256 KB	8 MB	32nm Bulk/HKMG	995 milj.	216 mm²
Sandy Bridge-EP	8	8 x 256 KB	20 MB	32nm Bulk/HKMG	2 270 milj	435 mm²
Sandy Bridge-E	4	4 x 256	10 MB	32nm Bulk/HKMG	1 270 milj.	294 mm²
Trinity	4	2 x 2 MB	-	32nm SOI/HKMG	1 303 milj.	246 mm²
Zambezi	8	4 x 2 MB	8 MB	32nm SOI/HKMG	~2 000 milj. (1 200 milj.?)	315 mm²
Thuban	6	6 x 512 KB	6 MB	45nm SOI/HKMG	904 milj.	346 mm²
Llano	4	4 x 1 MB	-	32nm SOI/HKMG	1 178 milj.	228 mm²
Westmere	6	6 x 256 KB	12 MB	32nm Bulk/HKMG	1 170 milj.	240 mm²
Sandy Bridge	2	2 x 256 KB	4 MB	32nm Bulk/HKMG	624 milj.	149 mm²
Sandy Bridge	2	2 x 256 KB	3 MB	32nm Bulk/HKMG	504 milj.	131 mm²
Regor	2	2 x 1 MB	-	45nm SOI	234 milj.	117 mm²
Propus	4	4 x 512 KB	-	45nm SOI	300 milj.	169 mm²
Deneb	4	4 x 512 KB	6 MB	45nm SOI	758 milj.	258 mm²
Penryn	2	6 MB	-	45nm Bulk/HKMG	410 milj.	107 mm²
Bloomfield	4	4 x 256 KB	8 MB	45nm Bulk/HKMG	731 milj.	263 mm²
Lynnfield	4	4 x 256 KB	8 MB	45nm Bulk/HKMG	774 milj.	296 mm²
Clarkdale	2	2 x 256 KB	4 MB	32nm Bulk/HKMG	383 milj.	81 mm²

Gate-First som GlobalFoundries använder sig av är ett annorlunda sätt att tillverka kretsar på och har en massiv fördel mot det traditionella Gate-Last. Gate-First innebär att man mycket tidigt i produktionen av en wafer sätter dit transistor-porten (gate), vilket leder till en ökad transistordensitet på 10 - 20 procent. Den här metoden är dock riskabel med nyare tillverkningstekniker, att Intel som är världsledande inom tillverkningstekniker inte vågar ge sig på Gate-First säger bara det en del.

Problemet med metoden är att transistorerna utsätts för högt tryck fler gånger än vid användning av Gate-Last under tillverkningen. Det här innebär att transistorerna helt enkelt krossas under det ökade trycket och blir obrukbara. Nu är det här dock en välbeprövad teknik som skeppats till konsumenter i drygt ett år, så förhoppningsvis överväger den tydliga fördelen nackdelarna, och kan hjälpa AMD att behålla sin konkurrenskraft mot Intel som precis gått över till sin senaste 22 nanometersteknik. Vi misstänker dock att Gate-First bidrog till de stora problem AMD och GlobalFoundries hade under förra året.

Skip TOC